DRV5013 -Q1美国TI霍尔效应传感器工作原理
美国TI DRV5013 -Q1器件是斩波稳定的霍尔效应传感器，提供了一种磁感应解决方案，在温度范围内具有出色的灵敏度稳定性，并具有集成保护功能。
磁场通过数字双极锁存输出指示。该集成电路具有漏极开路输出级，具有30mA的电流吸收能力。2.7至38 V的宽工作电压范围以及高达–22 V的反极性保护使该器件适用于各种汽车应用。
提供内部保护功能，用于电源反向供电，负载突降以及输出短路或过电流。
DRV5013 -Q1美国TI霍尔效应传感器工作原理如下：
霍尔电压随磁场强度的变化而变化，磁场越强，电压越高，磁场越弱，电压越低。霍尔电压值很小，通常只有几个毫伏，但经集成电路中的放大器放大，就能使该电压放大到足以输出较强的信号。若使霍尔集成电路起传感作用，需要用机械的方法来改变磁场强度。下图所示的方法是用一个转动的叶轮作为控制磁通量的开关，当叶轮叶片处于磁铁和霍尔集成电路之间的气隙中时，磁场偏离集成片，霍尔电压消失。这样，霍尔集成电路的输出电压的变化，就能表示出叶轮驱动轴的某一位置，利用这一工作原理，可将霍尔集成电路片用作用点火正时传感器。霍尔效应传感器属于被动型传感器，它要有外加电源才能工作，这一特点使它能检测转速低的运转情况。
DRV5013 -Q1美国TI霍尔效应传感器产品特点：
符合AEC-Q100的汽车应用要求：
设备HBM ESD分类等级2
设备CDM ESD分类等级C4B
等级1：T甲= -40°C到125°C（Q，参见器械命名）
0级：T甲= -40°C到150°C（E，见器械命名）
数字双极锁存霍尔传感器
出色的温度稳定性
B OP ±10％过热
多种灵敏度选项（B OP / B RP）
1.3 / –1.3 mT（FA，请参阅设备术语）
2.7 / –2.7 mT（AD，请参阅设备术语）
6 / –6 mT（AG，请参阅设备术语）
12 / –12 mT（BC，请参阅设备术语）
支持宽电压范围
2.7至38 V
无需外部稳压器
开漏输出（30mA灌电流）
35-s的快速上电时间
小包装和占地面积
表面贴装3针SOT-23（DBZ）
2.92毫米×2.37毫米
通孔3针TO-92（LPG）
4.00毫米×3.15毫米
保护功能
反向电源保护（高达–22 V）
支持高达40V的负载突降
输出短路保护
输出电流限制
OUT对电池保护短路
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